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[发明专利]一种晶圆级光感系统封装结构及其制造方法-CN201811450972.5有效
发明人：徐健 -专利权人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
申请日： 2018-11-30 - 公布日： 2020-05-15 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶圆级光感系统级封装结构，包括：第一硅基板；第二硅基板，所述第二硅基板设置在所述第一硅基板上方，且所述第二硅基板具有贯穿所述第二硅基板的顶面和底面的腔体结构；第三硅基板，所述第三硅基板设置在所述第二硅基板上方，且所述第三硅基板具有光感通孔；光敏芯片，所述光敏芯片贴装在所述腔体结构中对应区域的所述第一硅基板正面，且与所述光感通孔对准；芯片，所述芯片倒装焊在所述腔体结构的另一对应区域的所述第一硅基板正面；以及外接焊球
一种晶圆级光感系统封装结构及其制造方法

[发明专利]硅层转印基板以及半导体基板的制造方法-CN201210061282.7有效
发明人：三井实 -专利权人：富士施乐株式会社
申请日： 2012-03-09 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明涉及硅层转印基板以及半导体基板的制造方法，所述硅层转印基板包括：作为第一基板的硅基板；牺牲层；以及转印至第二基板的转印硅层，其中所述牺牲层具有硅化合物层，所述硅化合物层含有由硅以及选自锗和碳中的至少一种元素构成的化合物，并且所述牺牲层被设置在作为第一基板的硅基板上，所述硅化合物层的厚度等于或小于临界膜厚度，所述转印至第二基板的转印硅层被设置在牺牲层上，并且硅基板或者硅层中的至少一者具有与牺牲层相连的沟槽或孔。所述硅层转印基板能够具有几乎不存在缺陷的转印硅层。
硅层转印基板以及半导体制造方法

[发明专利]半导体基板及其形成方法-CN202010488714.7在审
发明人：李文中;廖翠芸;焦平海 -专利权人：合晶科技股份有限公司
申请日： 2020-06-02 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：一种半导体基板及其形成方法，该半导体基板包括第一硅基板、氧化层、第二硅基板及外延层。氧化层设置于第一硅基板上。第二硅基板设置于氧化层上。第二硅基板具有介于10nm～10μm的厚度。外延层设置于第二硅基板上。由于第二硅基板的厚度较薄，因此外延层对第二硅基板所造成的应力也会较小，从而使外延层的品质较佳，因此，半导体基板具有不易翘曲的特性。
半导体及其形成方法

[发明专利]LED硅封装单元-CN200910036551.2无效
发明人：侯玉玺;岑家雄 -专利权人：深圳市深华龙科技实业有限公司
申请日： 2009-01-09 - 公布日： 2009-07-08 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种LED硅封装单元包括：其上形成硅基板凹陷面及与该硅基板凹陷面相对的硅基板底面的硅基板，硅基板凹陷面内设置一对基板电路，每个基板电路上开设导电孔，硅基板底面上设置有与基板电路对应的一对外电路电极，导电孔穿过外电路电极，通过将导电材料灌注在导电孔内实现基板电路与外电路电极的电性连接，硅基板凹陷面内安装电性地连接到基板电路的LED芯片；及与硅基板连接以便对其散热的外延散热体，外延散热体表面上设置有一对分别与硅基板上的一对基板电路电性连接的外延散热体电路
led 封装单元

[实用新型]LED硅封装单元-CN200920049912.2无效
发明人：侯玉玺;岑家雄 -专利权人：深圳市深华龙科技实业有限公司
申请日： 2009-01-09 - 公布日： 2010-05-05 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种LED硅封装单元包括：其上形成硅基板凹陷面及与该硅基板凹陷面相对的硅基板底面的硅基板，硅基板凹陷面内设置一对基板电路，每个基板电路上开设导电孔，硅基板底面上设置有与基板电路对应的一对外电路电极，导电孔穿过外电路电极，通过将导电材料灌注在导电孔内实现基板电路与外电路电极的电性连接，硅基板凹陷面内安装电性地连接到基板电路的LED芯片；及与硅基板连接以便对其散热的外延散热体，外延散热体表面上设置有一对分别与硅基板上的一对基板电路电性连接的外延散热体电路
led 封装单元

[发明专利]混合基板的制造方法和混合基板-CN201480024384.9有效
发明人：飞坂优二;秋山昌次;久保田芳宏;川合信;永田和寿 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2014-04-21 - 公布日： 2018-11-09 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：通过准备在硅基板上将第1硅氧化膜和硅活性层依次地层叠而成、在该硅基板面外周部形成了不具有上述硅活性层的台阶部的SOI基板，在SOI基板的硅活性层表面形成第2硅氧化膜，对上述SOI基板和与该SOI基板热膨胀率不同的支持基板的贴合面进行活性化处理，与室温相比在高温下经由第2硅氧化膜将上述SOI基板和支持基板贴合，接下来，对于上述贴合基板在规定的热处理温度条件和板厚薄化条件下将提高SOI基板与支持基板的结合力的结合热处理和将上述硅基板研削而薄化的研削薄化处理的组合反复进行至少2次，通过蚀刻将上述薄化的硅基板除去而使第1硅氧化膜露出，进而通过蚀刻将第1硅氧化膜除去，从而在不进行基板外周的修剪、不存在基板外周部的硅活性层的部分的剥离等不利情形下得到具有良好的硅活性层的SOI结构的混合基板
混合制造方法

[发明专利]一种超薄硅基板的制作工艺和结构-CN201510107561.6在审
发明人：上官东恺;张文奇;薛恺 -专利权人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
申请日： 2015-03-11 - 公布日： 2015-06-03 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种超薄硅基板的制作工艺，包括下述步骤：S1，提供一硅基板；S2，在硅基板的背面制作应力槽和分割槽；分割槽位于待划分的基板单元之间；确保每个待划分的基板单元对应的硅基板背面区域至少有一个应力槽；S3，在硅基板的背面覆盖一保护层，保护层的材料填充硅基板背面的应力槽和分割槽；S4，对硅基板的正面进行减薄；S5，在硅基板的正面制作正面结构，且在所述正面结构中开用于后续步骤划片的划片槽，划片槽的位置与分割槽相对应；S6，利用硅基板正面结构中的划片槽和硅基板中的分割槽进行划片，将整块硅基板分割为各个基板单元。本发明用于制备电子器件超薄封装结构所需要的硅基板。
一种超薄硅基板制作工艺结构

[其他]空腔SOI基板-CN202090000464.1有效
发明人：泽村诚;日野龙之介;岸本谕卓 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2020-03-19 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： B81B1/00 文献下载
摘要：本实用新型提供一种空腔SOI基板，能够抑制平坦性的恶化。空腔SOI基板通过硅氧化膜将具有空腔的第一硅基板与第二硅基板接合，其中，在第二硅基板中，与第一硅基板的所述空腔对置的部分比与第一硅基板接合的部分厚。
空腔 soi 基板

[发明专利]具有纹理形成面的硅基板及其制造方法、包含硅基板的太阳能电池-CN201280003093.2有效
发明人：中山一郎;野村刚;奥村智洋;斋藤光央;田边浩;臼井幸也 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2012-04-13 - 公布日： 2013-05-29 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明的目的在于，通过使具有纹理形成面的硅基板的纹理微细化，而实现太阳能电池用的硅基板的薄层化。本发明提供一种硅基板，其具有50μm以下的厚度且为基板表面定向（111）的硅基板，该硅基板具有形成有纹理的纹理形成面。这样的硅基板由包含如下工序的工艺来制造：工序A，准备优选具有50μm以下的厚度、基板表面定向（111）的硅基板；以及工序B，对所述准备好的硅基板的基板表面喷射包括含氟气体的蚀刻气体而形成纹理。
具有纹理形成硅基板及其制造方法包含太阳能电池

[发明专利]基板处理方法以及基板处理装置-CN201210359233.1有效
发明人：高桥弘明 -专利权人：斯克林集团公司
申请日： 2012-09-24 - 公布日： 2017-03-01 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种基板处理方法和基板处理装置，基板处理方法包括冲洗工序，对硅基板的表面供给第一温度的水，利用该水对所述硅基板的表面实施冲洗处理；第二温度水供给（涂敷）工序，在所述冲洗工序之后，对所述硅基板的表面供给比所述第一温度低的第二温度的水；干燥工序，在所述第二温度水供给工序之后，使所述硅基板旋转，从而将该硅基板的表面的水甩向硅基板的周围，使所述硅基板干燥。
处理方法以及装置

[发明专利]硅基喇叭封装天线系统集成结构及其制备方法-CN201910147581.4有效
发明人：李君;戴风伟 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2019-02-27 - 公布日： 2020-09-25 - 主分类号： H01Q1/22 文献下载
摘要：本发明提供了一种硅基喇叭封装天线系统集成结构及其制备方法。该硅基喇叭封装天线系统集成结构包括第一硅基板结构、第二硅基板结构、键合层和至少一个芯片，第一硅基板结构中第一重布线层设置于第一硅基板的一侧，导电通道贯穿第一硅基板并与第一重布线层连接；第二硅基板结构中的第二重布线层位于第二硅基板靠近第一硅基板的一侧，喇叭口结构具有朝远离第一硅基板一侧开口的喇叭口，喇叭口贯穿第二硅基板，且喇叭口结构还具有位于喇叭口中并覆盖第二硅基板的导电层，导电层与第二重布线层连接；键合层设置于第一硅基板结构与第二硅基板结构之间，
喇叭封装天线系统集成结构及其制备方法

[发明专利]一种基于硅基板倒装焊的多芯片多组件叠层结构-CN202210087366.1在审
发明人：汤姝莉;赵国良;邵领会;张健;薛亚慧 -专利权人：西安微电子技术研究所
申请日： 2022-01-25 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本发明提供一种基于硅基板倒装焊的多芯片多组件叠层结构，多个倒装焊芯片，多个硅基板和管壳，倒装焊芯片设置在硅基板上，硅基板设置在管壳上；倒装焊芯片与硅基板之间设置有凸点；所述倒装焊芯片与硅基板通过凸点连接；硅基板与管壳之间设置有焊球。硅基板与管壳通过焊球连接。硅基板上设置有用于电信号传输的通孔；凸点采用阵列形式排布，相邻两个凸点的球心间距不小于凸点直径的1.6倍。焊球采用阵列形式排布。本发明通过多个芯片倒装焊至一个硅基板上，多个芯片/硅基板组件再焊至一个管壳内。硅基板的上下表面能够实现不同尺寸及间距焊球之间的转接，可避免管壳制造工艺极限对倒装焊芯片凸点数量及尺寸的限制。
一种基于硅基板倒装芯片组件结构

[发明专利]反射式单晶硅液晶面板-CN200610080114.7无效
发明人：官大双;白东尼;孟启泰 -专利权人：联诚光电股份有限公司
申请日： 2006-04-28 - 公布日： 2007-10-31 - 主分类号： G02F1/133 文献下载
摘要：一种反射式单晶硅液晶面板，此反射式单晶硅液晶面板适于使光束偏振，并将光束转换成图像。反射式单晶硅液晶面板包括硅基板、相对基板、液晶层以及偏光元件。其中，硅基板具有像素阵列。相对基板配置于硅基板上方，且相对基板具有透明电极层。液晶层配置于硅基板的像素阵列与相对基板的透明电极层之间。偏光元件配置于硅基板或相对基板上。如上所述，本发明将偏光元件集成于反射式单晶硅液晶面板，可有效地降低投影仪的制造成本、体积以及重量。
反射单晶硅液晶面板

[发明专利]硅基板上的图案修复方法和硅基板上的图案修复装置-CN201110025366.0无效
发明人：西村荣一;田原慈;山下扶美子 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2011-01-19 - 公布日： 2011-08-03 - 主分类号： C23F1/12 文献下载
摘要：本发明提供一种硅基板上的图案修复方法和硅基板上的图案修复装置，能够将在通过蚀刻形成于硅基板上的图案之间生长的异物除去，使该图案的形状恢复。该硅基板上的图案修复方法，具有将硅基板收容于腔室内，将硅基板加热到160℃以上的加热工序。
硅基板上图案修复方法装置

[发明专利]多晶硅基板的制造方法以及多晶硅基板的制造装置-CN202111543893.0在审
发明人：柳憙官;金珍浩;吴泳勋 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2021-12-16 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：提供多晶硅基板的制造方法以及多晶硅基板的制造装置。多晶硅基板的制造方法包括：制作多晶硅试验基板的多晶硅试验基板制作步骤；对于制作出的所述多晶硅试验基板，通过暗视野显微镜和相机拍摄所述多晶硅试验基板的多个焦点区域的焦点区域拍摄步骤；提取拍摄出的各所述焦点区域的颜色表的颜色表提取步骤；通过提取出的所述颜色表判断所述多晶硅试验基板的结晶化度的多晶硅试验基板的结晶化度判定步骤；以及通过判定出的所述结晶化度选定OPED的OPED选定步骤。
多晶硅基板制造方法以及装置

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